Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Romanyuk B$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8
|
1. |
Oberemok O. S. Mechanism of Oxygen Redistribution During Ultra-Shallow Junction Formation in Silicon [Електронний ресурс] / O. S. Oberemok, D. V. Gamov, V. G. Litovchenko, B. M. Romanyuk, V. P. Melnik, V. P. Klad’ko, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01PCSI14-01PCSI14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_57
| 2. |
Bunak S. V. Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters [Електронний ресурс] / S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 241-246. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_22 The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures grown using high temperature annealing SiOx, <$E x~<<~2>, have been carried out. It has been experimentally found that the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of dynamic memory. Electric properties and parameters of the interface states located between Si - ncs and SiO2 were studied in detail by measuring of current-voltage, capacitance-voltage, and thermally stimulated current characteristics.
| 3. |
Sachenko A. V. Recombination characteristics of single-crystalline silicon wafers with a damaged near-surface layer [Електронний ресурс] / A. V. Sachenko, V. P. Kostylev, V. G. Litovchenko, V. G. Popov, B. M. Romanyuk, V. V. Chernenko, V. M. Naseka, T. V. Slusar, S. I. Kyrylova, F. F. Komarov // Ukrainian journal of physics. - 2013. - Vol. 58, № 2. - С. 142-150. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2013_58_2_8
| 4. |
Efremov A. A. Dopant depth profile modification during mass Spectrometric analysis of multilayer nanostructures [Електронний ресурс] / A. A. Efremov, V. G. Litovchenko, V. P. Melnik, O. S. Oberemok, V. G. Popov, B. M. Romanyuk // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 6. - С. 511-520. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_6_6
| 5. |
Romanyuk B. Stationary multistar-shape patterns of water drops in the presence of a temperature gradient [Електронний ресурс] / B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 11. - С. 973-979. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_11_8 Еволюція форми крапель рідини, розташованій на перегрітій поверхні, є предметом численних досліджень протягом останніх десятиліть, оскільки вона має відношення до широкого спектра фізичних процесів, починаючи від поділу ядер до особливостей руху планет, і реалізується в багатьох промислових процесах. Показано, що крапля рідини, замкнена у сферичній щілині, здатна набувати багатозіркову форму з незвично великою кількістю зірок n, більшою за 11. Одержані результати пояснюються в термінах багаторазового збурення форми краплі парою, утвореною у проміжку крапля - щілина, що час від часу проривається назовні. Цей процес супроводжується пульсуючими рухами краплі та появою стаціонарних n-зіркових конфігурацій. Спостережено заморожування краплі, коли її випаровування відбувається у послідовності заморожених станів все меншого об'єму. Ці результати можуть знайти застосування для контролю фазових переходів рідина - газ на перегрітих поверхнях і можуть бути використані для вимірювання в'язкості та концентрації частинок в суспензії.
| 6. |
Romanyuk B. Stationary multistar-shape patterns of water drops in the presence of a temperature gradient [Електронний ресурс] / B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 11. - С. 979-985. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_11_8 Еволюція форми крапель рідини, розташованій на перегрітій поверхні, є предметом численних досліджень протягом останніх десятиліть, оскільки вона має відношення до широкого спектра фізичних процесів, починаючи від поділу ядер до особливостей руху планет, і реалізується в багатьох промислових процесах. Показано, що крапля рідини, замкнена у сферичній щілині, здатна набувати багатозіркову форму з незвично великою кількістю зірок n, більшою за 11. Одержані результати пояснюються в термінах багаторазового збурення форми краплі парою, утвореною у проміжку крапля - щілина, що час від часу проривається назовні. Цей процес супроводжується пульсуючими рухами краплі та появою стаціонарних n-зіркових конфігурацій. Спостережено заморожування краплі, коли її випаровування відбувається у послідовності заморожених станів все меншого об'єму. Ці результати можуть знайти застосування для контролю фазових переходів рідина - газ на перегрітих поверхнях і можуть бути використані для вимірювання в'язкості та концентрації частинок в суспензії.
| 7. |
Sabov T. M. Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient [Електронний ресурс] / T. M. Sabov, O. S. Oberemok, O. V. Dubikovskyi, V. P. Melnik, V. P. Kladko, B. M. Romanyuk, V. G. Popov, O. Yo. Gudymenko, N. V. Safriuk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 2. - С. 153-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_2_3 A new method to prepare vanadium oxide with a high temperature coefficient of resistance (TCR) and low resistance for uncooled micro-bolometers has been proposed. Amorphous vanadium oxide films with V2O3 phase inclusions have been fabricated on silicon and silica substrates at the temperature <$E200~symbol Р roman C> by using the direct current reactive magnetron sputtering method in controlled Ar/O2 atmosphere. Additional oxygen ion implantation in the deposited films allows to synthesize vanadium oxide with crystalline inclusions of VO2 and V2O5 phases under the low temperature annealing. The following long low-temperature annealing provides formation of VOx (at <$Ex~symbol О~2>) film with the TCR close to <$E7,0~% "/" ~symbol Р roman C>.
| 8. |
Shmid V. Photoelectric properties of SiGe films covered with amorphous- and polycrystalline-silicon layers [Електронний ресурс] / V. Shmid, A. Podolian, A. Nadtochiy, O. Korotchenkov, B. Romanyuk, V. Melnik, V. Popov, O. Kosulya // Ukrainian journal of physics. - 2019. - Vol. 64, № 5. - С. 415-424. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2019_64_5_8
|
|
|